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光譜用光電探測(cè)器介紹(卓立漢光)光探測(cè)器按照工作原理和結(jié)構(gòu)，通常分為光電探測(cè)器和熱電探測(cè)器，其中光電探測(cè)器包括真空光電器件(光電倍增管等)和固體光電探測(cè)器(光電二管、光導(dǎo)探測(cè)器、CCD等)。一、光電倍增管(PHOTOMULTIPLIERTUBES，PMT)光電倍增管(PMT)是一種具有高靈敏度的光探測(cè)器件，同時(shí)還有快速響應(yīng)、低噪聲、大面積陰(光敏面)等特點(diǎn)。典型的光電倍增管，在其真空管中，包括光電發(fā)射陰(光陰)和聚焦電、電子倍增和電子收集(陽(yáng))的器件。當(dāng)光照射光陰，光陰向真空...

光譜儀用CCD介紹（卓立漢光）CCD，是英文ChargeCoupledDevice即電荷耦合器件的縮寫，它是在MOS晶體管電荷存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，突出的特點(diǎn)是以電荷作為信號(hào)，而不是以電流或電壓作為信號(hào)的。在P型或N型硅單晶的襯底上生長(zhǎng)一層厚度約為120~150nm的SiO2層，然后按一定次序沉積m行n列個(gè)金屬電或多晶硅電作為柵，柵間隙約2.5μm，于是每個(gè)電與其下方的SiO2和半導(dǎo)體間構(gòu)成了一個(gè)MOS結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)再加上輸入、輸出結(jié)構(gòu)就構(gòu)成了m×n位CCD（m＞1，n≥...